PHD13005,127参数规格_中文资料_数据手册PDF

PHD13005,127概述

TO-220AB NPN 400V 4A

Bipolar BJT Transistor NPN 400V 4A 75W Through Hole TO-220AB

得捷:
TRANS NPN 400V 4A TO220AB

艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

立创商城:
PHD13005,127

PHD13005,127中文资料参数规格

技术参数

额定功率 75 W

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 10 @2A, 5V

额定功率Max 75 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 75000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买PHD13005,127

型号： PHD13005,127

制造商： We En Semiconductor

描述：TO-220AB NPN 400V 4A

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替代型号PHD13005,127

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