P6KE12C

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P6KE12C概述

硅雪崩二极管 - 硅雪崩二极管 Silicon Avalanche Diodes - Silicon Avalanche Diodes

17.54V 夹子 - Ipp TVS - 通孔 DO-204AC(DO-15)


得捷:
TVS DIODE 10.2VWM 17.54V DO204AC


贸泽:
ESD Suppressors / TVS Diodes 9.72Vr 600W 35A 10% Bi-Directional


Chip1Stop:
Diode TVS Single Bi-Dir 10.2V 600W 2-Pin DO-15 T/R


P6KE12C中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 12.0 V

工作电压 9.72 V

额定功率 600 W

击穿电压 10.8 V

耗散功率 6 kW

钳位电压 17.3 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 10.8 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-204AC

外形尺寸

长度 7.6 mm

直径 3.60 mm

封装 DO-204AC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

P6KE12C引脚图与封装图
P6KE12C引脚图
P6KE12C封装图
P6KE12C封装焊盘图
在线购买P6KE12C
型号: P6KE12C
描述:硅雪崩二极管 - 硅雪崩二极管 Silicon Avalanche Diodes - Silicon Avalanche Diodes
替代型号P6KE12C
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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