PMCM6501VPE

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PMCM6501VPE中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.019 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 556 mW

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 6.2A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 WLCSP

外形尺寸

封装 WLCSP

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PMCM6501VPE
型号: PMCM6501VPE
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PMCM6501VPE  晶体管, MOSFET, 沟槽式, P沟道, -6.2 A, -12 V, 0.019 ohm, -4.5 V, -600 mV 新

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