P6KE62C

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P6KE62C概述

硅雪崩二极管 - 硅雪崩二极管 Silicon Avalanche Diodes - Silicon Avalanche Diodes

Protect sensitive electronics against voltage transients induced by inductive load switching and lightning. Ideal for the protection of I/O interfaces, Vcc bus, and other integrated circuits.

FEATURES

• Breakdown voltage range 6.8 to 440 Volts

• Uni-directional and Bi-directional

• Glass passivated junction

• Excellent clamping capability

• 100% surge tested

• UL recognised


得捷:
TVS DIODE 53VWM 89.25VC DO204AC


贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 50.2Vr 600W 6.8A 10% Bi-Directional


Chip1Stop:
Diode TVS Single Bi-Dir 50.2V 600W 2-Pin DO-15


P6KE62C中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 62.0 V

工作电压 53 V

额定功率 600 W

击穿电压 68.2 V

钳位电压 89.25 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 55.8 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-204AC-2

外形尺寸

长度 7.60 mm

直径 3.60 mm

封装 DO-204AC-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

P6KE62C引脚图与封装图
P6KE62C引脚图
P6KE62C封装图
P6KE62C封装焊盘图
在线购买P6KE62C
型号: P6KE62C
描述:硅雪崩二极管 - 硅雪崩二极管 Silicon Avalanche Diodes - Silicon Avalanche Diodes
替代型号P6KE62C
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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