PTFA091201EV4XWSA1

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PTFA091201EV4XWSA1概述

Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin Case 36248

Do you need a transistor that will operate at high frequencies? Then this RF amplifier from Technologies is perfect for you! Its maximum power dissipation is 427000 mW. This RF power MOSFET has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 200 °C. Its maximum frequency is 960 MHz. This N channel RF power MOSFET operates in enhancement mode.

PTFA091201EV4XWSA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 427000 mW

输出功率 50 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 427000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 3

外形尺寸

高度 3.61 mm

其他

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PTFA091201EV4XWSA1
型号: PTFA091201EV4XWSA1
制造商: Infineon 英飞凌
描述:Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin Case 36248

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