PNA1401L参数规格_中文资料_数据手册PDF

PNA1401L概述

NPN PHOTOTRANSISTOR 800NM TO-18

Phototransistors 800nm Top View TO-18-2 Metal Can

得捷:
SENSOR PHOTO 800NM TOP TO18-2

Chip1Stop:
Phototransistor Chip Silicon 800nm 2-Pin MTGLR102-001

PNA1401L中文资料参数规格

技术参数

波长 800 nm

视角 20°

上升时间 3.00 µs

击穿电压集电极-发射极 30 V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-18-2

外形尺寸

封装 TO-18-2

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： PNA1401L

描述：NPN PHOTOTRANSISTOR 800NM TO-18