PT2559B-F概述
光电晶体管 IR Phototransistor
Phototransistors 940nm Side View Radial, 3 Lead, Side View
得捷:
SENSOR PHOTO 940NM SIDE VIEW RAD
贸泽:
光电晶体管 IR Phototransistor
艾睿:
Phototransistor Chip Silicon 940nm 3-Pin Bag
安富利:
Phototransistor Chip Silicon 940nm 3-Pin Bag
PT2559B-F中文资料参数规格
技术参数
波长 940 nm
峰值波长 940 nm
耗散功率 75 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
下降时间Max 15 ns
上升时间Max 15 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -25 ℃
耗散功率Max 75 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 Radial, 3 Lead, Side View
外形尺寸
高度 4.5 mm
封装 Radial, 3 Lead, Side View
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -25℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买PT2559B-F