PT501

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PT501中文资料参数规格
技术参数

输出电流 ≤10.0 mA

波长 800 nm

视角 12°

上升时间 10.0 µs

击穿电压集电极-发射极 45 V

额定功率Max 75 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-18-2

外形尺寸

封装 TO-18-2

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 125℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: PT501
制造商: Sharp 夏普
描述:Phototransistor IR Chip 800nm 2Pin TO-18

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