PBLS2001D

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PBLS2001D中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50V, 20V

集电极最大允许电流 100mA/1A

最小电流放大倍数hFE 220

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-457

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 1.7 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-457

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBLS2001D
型号: PBLS2001D
制造商: NXP 恩智浦
描述:PBLS 系列 BISS 负载开关,NXP 每个封装中包括低 VCEsat BISS 晶体管和带电阻器的晶体管 与 MOSFET 相比的低“阈值”电压 需要低驱动器电源 节省空间的解决方案 元件数缩减 SMT 封装 SOT363 Y、SOT666 V ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

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