PBSS4350SPN

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PBSS4350SPN概述

NPN/PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压双 NPN/PNP 双极结点晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

General description

NPN/PNP double low VCEsatBreakthrough In Small Signal BISS transistor in a medium power Surface-Mounted Device SMD plastic package.

Features

Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

High collector current capability ICand ICM

High collector current gain hFE at high IC

High efficiency due to less heat generation

Smaller required Printed-Circuit Board PCB area than for conventional transistors

Applications

Complementary MOSFET driver

Half and full bridge motor drivers

Dual low power switches e.g. motors, fans

Automotive

PBSS4350SPN中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 2.7A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOT-96

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.75 mm

封装 SOT-96

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买PBSS4350SPN
型号: PBSS4350SPN
制造商: NXP 恩智浦
描述:NPN/PNP 晶体管,NXP 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压双 NPN/PNP 双极结点晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
替代型号PBSS4350SPN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PBSS4350SPN

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PBSS4350SPN,115

安世

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