PDTB113ET

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PDTB113ET中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 33

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-236

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 TO-236

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买PDTB113ET
型号: PDTB113ET
制造商: NXP 恩智浦
描述:PNP 晶体管,NXP ### 数字晶体管,NXP 配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
替代型号PDTB113ET
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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NXP 恩智浦

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