极性 PNP, P-Channel
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 33
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-236
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
产品生命周期 Unknown
RoHS标准 RoHS Compliant
数据手册
PDTB113ET
NXP 恩智浦
当前型号
PDTB113ET,215
恩智浦
功能相似
PDTB113EK
PDTB113ZK
飞利浦