PSMN010-80YL

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PSMN010-80YL中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0074 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 194 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 80 V

工作温度Max 175 ℃

封装参数

引脚数 4

封装 SOT-669

外形尺寸

封装 SOT-669

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PSMN010-80YL
型号: PSMN010-80YL
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP PSMN010-80YL MOSFET Transistor, TrenchMOS, N Channel, 84A, 80V, 0.0074Ω, 10V, 1.7V New

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