PQMD3Z

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PQMD3Z中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 230 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 XFDFN-6

外形尺寸

高度 0.36 mm

封装 XFDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: PQMD3Z
制造商: NXP 恩智浦
描述:PQMD3 - NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10kΩ, R2 = 10kΩ

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