PHE13005,127参数规格_中文资料_数据手册PDF

PHE13005,127概述

PHE13005 系列 400 v 4 A 硅漫射式功率晶体管 - TO-220AB

Bipolar BJT Transistor NPN 400V 4A 75W Through Hole TO-220AB

欧时:
Transistor, NXP, PHE13005

得捷:
TRANS NPN 400V 4A TO220AB

艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail

富昌:
PHE13005 Series 400 v 4 A Silicon Diffused Power Transistor - TO-220AB

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

立创商城:
PHE13005,127

PHE13005,127中文资料参数规格

技术参数

额定功率 75 W

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 75 W

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 10 @2A, 5V

额定功率Max 75 W

直流电流增益hFE 10

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 75000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHE13005,127

型号： PHE13005,127

制造商： We En Semiconductor

描述：PHE13005 系列 400 v 4 A 硅漫射式功率晶体管 - TO-220AB

替代型号PHE13005,127