PDTB123YK

PDTB123YK图片1
PDTB123YK中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

封装参数

封装 MPAK

外形尺寸

封装 MPAK

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTB123YK
型号: PDTB123YK
制造商: NXP 恩智浦
描述:低VCEsat晶体管( BISS )晶体管 Low VCEsat BISS transistors
替代型号PDTB123YK
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PDTB123YK

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PDTB123TK

恩智浦

完全替代

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