PDTA113ZE

PDTA113ZE图片1
PDTA113ZE中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 5V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-416

外形尺寸

封装 SOT-416

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTA113ZE
型号: PDTA113ZE
制造商: NXP 恩智浦
描述:PNP电阻配备晶体管; R 1 = 1千瓦, R2 = 10千瓦 PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 10 kW
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