PTFA220041M V4

PTFA220041M V4图片1
PTFA220041M V4概述

Trans MOSFET N-CH 65V 10Pin SON T/R

Summary of Features:

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Typical two-carrier WCDMA performance at 1842 MHz, 8 dB PAR, POUT = 27 dBm Avg, ACPR = –44 dBc
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Typical CW performance, 1842 MHz, 28 V

\- P OUT = 37 dBm

\- Efficiency = 53.5%

\- Gain = 17.9 dB

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Typical CW performance, 940 MHz, 28 V

\- P OUT = 37.5 dBm

\- Efficiency = 57%

\- Gain = 19.7 dB

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Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 5 W CW output power
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Integrated ESD protection
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Excellent thermal stability
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Pb-free and RoHS compliant
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Package: PG-SON-10
PTFA220041M V4中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 2.01 Ω

漏源击穿电压 65 V

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PG-SON-10

外形尺寸

封装 PG-SON-10

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PTFA220041M V4
型号: PTFA220041M V4
制造商: Infineon 英飞凌
描述:Trans MOSFET N-CH 65V 10Pin SON T/R

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