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PUMD19图片1

PUMD19中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP

外形尺寸

封装 TSSOP

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PUMD19

型号： PUMD19

制造商： NXP 恩智浦

描述：低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 Low VCEsat BISS transistors

替代型号PUMD19

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

PUMD19

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PUMD19,115

恩智浦

类似代替

PUMD19和PUMD19,115的区别