PDTA115TU参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

PDTA115TU图片1

PDTA115TU中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70

外形尺寸

封装 SC-70

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

PDTA115TU引脚图与封装图

PDTA115TU引脚图

PDTA115TU封装图

PDTA115TU封装焊盘图

在线购买PDTA115TU

型号： PDTA115TU

制造商： NXP 恩智浦

描述：低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 Low VCEsat BISS transistors

替代型号PDTA115TU

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PDTA115TU NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
PDTA115ET,215 安世	功能相似	PDTA115TU和PDTA115ET,215的区别
MUN5141T1G 安森美	功能相似	PDTA115TU和MUN5141T1G的区别
PDTA115EM,315 安世	功能相似	PDTA115TU和PDTA115EM,315的区别