PEMD48

PEMD48 NPN+PNP复合带阻尼三极管 50V/-50V 100mA/-100mA 80/100 300mW/0.3W SOT-563/SOT666 标记48 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO Q1/Q2 | 50V/-50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO Q1/Q2 | 50V/-50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC Q1/Q2 | 100mA/-100mA Q1基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 47KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 47KΩ/Ohm Q1电阻比R1/R2 Q1 Resistance Ratio | 1 Q2基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 2.2KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 47KΩ/Ohm Q2电阻比R1/R2 Q2 Resistance Ratio | 0.047 直流电流增益hFE DC Current GainhFE Q1/Q2 | 80/100 截止频率fT Transtion FrequencyfT Q1/Q2 | 耗散功率Pc Power Dissipation Q1/Q2 | 300mW/0.3W Description & Applications | Features • PNP/PNP resistor-equipped transistors; • 300 mW total power dissipation • Very small 1.6 mm × 1.2 mm × 0.55 mm ultra thin package • Reduces number of components as replacement of two SC-75/SC-89 packaged transistors • Reduces required board space • Reduces pick and place costs • Self alignment during soldering due to straight leads APPLICATIONS • General purpose switching and amplification • Inverter and interface circuits • Circuit driver. 描述与应用 | 特点 •PNP / PNP电阻配备晶体管; •300 mW的总功耗 •非常小1.6毫米×1.2毫米×0.55毫米的超薄封装 •减少作为两个SC-75/SC-89包装晶体管的更换的部件数量 •减少所需的电路板空间 •减少取放成本 •自对准直引线在焊接过程中，由于 应用 •通用开关和放大 •逆变器和接口电路 •电路驱动。