PUMD20参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

PUMD20图片1

PUMD20中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @20mA, 5V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-6

外形尺寸

封装 TSSOP-6

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PUMD20

型号： PUMD20

制造商： NXP 恩智浦

描述：低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 Low VCEsat BISS transistors

替代型号PUMD20

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PUMD20 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
MUN5313DW1T1G 安森美	功能相似	PUMD20和MUN5313DW1T1G的区别
PUMD2,115 安世	功能相似	PUMD20和PUMD2,115的区别
PUMD12,115 安世	功能相似	PUMD20和PUMD12,115的区别