PUMT1

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PUMT1概述

PUMT1 PNP+PNP复合三极管 -50V -0.1A HEF=120 SOT363 标记F1F 用于开关/数字电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -40V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -100MA 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 100MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 120 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.2V 耗散功率Pc Power Dissipation | 200MW 描述与应用 Description & Applications | PNP型通用双 技术文档PDF下载 | 在线阅读

PUMT1中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.1A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-363

外形尺寸

封装 TSSOP-363

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PUMT1
型号: PUMT1
制造商: NXP 恩智浦
描述:PUMT1 PNP+PNP复合三极管 -50V -0.1A HEF=120 SOT363 标记F1F 用于开关/数字电路
替代型号PUMT1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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