PBLS2003D

PBLS2003D中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50V, 20V

集电极最大允许电流 100mA/1A

封装参数

封装 SOT-457

外形尺寸

封装 SOT-457

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: PBLS2003D
制造商: NXP 恩智浦
描述:TSOP NPN+PNP 50V/20V 100mA/1A

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