PTFA091201EV4R0XTMA1

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PTFA091201EV4R0XTMA1概述

Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin Case 36248 T/R

Summary of Features:

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Broadband internal matching
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Typical EDGE performance,

\- Average output power = 50 W

\- Gain = 19 dB

\- Efficiency = 44%

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Typical CW performance

\- Output power at P1dB = 135 W

\- Gain = 18 dB

\- Efficiency = 64%

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Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 120 W CW output power
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Integrated ESD protection. Human Body Model, Class 2 minimum
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Excellent thermal stability, low HCI drift
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Pb-free and RoHS compliant
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Package: H-36248-2, bolt-down
PTFA091201EV4R0XTMA1中文资料参数规格
技术参数

频率 920MHz ~ 960MHz

额定电流 10 µA

耗散功率 427000 mW

输出功率 120 W

增益 19 dB

测试电流 750 mA

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 427000 mW

额定电压 65 V

电源电压 28.0 V

封装参数

引脚数 3

封装 H-36248-2

外形尺寸

封装 H-36248-2

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买PTFA091201EV4R0XTMA1
型号: PTFA091201EV4R0XTMA1
制造商: Infineon 英飞凌
描述:Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin Case 36248 T/R

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