PTAC260302FCV1R0XTMA1

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PTAC260302FCV1R0XTMA1概述

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管

Summary of Features:

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Asymmetrical design
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Broadband internal matching
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Typical CW performance, 2690 MHz, 28 V combined outputs

\- Output power at P3dB = 30 W

\- Efficiency = 54%

\- Gain = 13 dB

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Typical single-carrier WCDMA performance, 2690 MHz, 28 V, 10 dB PAR

\- Output power = 37.5 dBm avg

\- Gain = 15.5 dB

\- Efficiency = 45%

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Capable of handling 10:1 VSWR at 32 V, 30 W CW output power
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Integrated ESD protection
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Pb-free and RoHS compliant
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Package: H-37248H-4, earless
PTAC260302FCV1R0XTMA1中文资料参数规格
技术参数

频率 2.69 GHz

额定电流 10 µA

输出功率 5.6 W

增益 15.5 dB

测试电流 85 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

封装参数

引脚数 5

封装 H-37248H-4

外形尺寸

高度 3.76 mm

封装 H-37248H-4

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PTAC260302FCV1R0XTMA1
型号: PTAC260302FCV1R0XTMA1
制造商: Infineon 英飞凌
描述:射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管

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