
PDTC114EE 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 10k SOT-523 marking/标记 9
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 10KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 30 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 230MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.15W/150mW Description & Applications| FEATURES • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Reduced pick and place costs 描述与应用| 特性 •内置偏置电阻 •简化电路设计 •减少元件数量 •减少取放成本



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PDTC114EE NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PDTC114EE,115 恩智浦 | 功能相似 | PDTC114EE和PDTC114EE,115的区别 |