PDTC114EE

PDTC114EE图片1
PDTC114EE概述

PDTC114EE 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 10k SOT-523 marking/标记 9

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 10KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 30 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 230MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.15W/150mW Description & Applications| FEATURES • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Reduced pick and place costs 描述与应用| 特性 •内置偏置电阻 •简化电路设计 •减少元件数量 •减少取放成本

PDTC114EE中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-523

外形尺寸

封装 SOT-523

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

PDTC114EE引脚图与封装图
PDTC114EE引脚图
PDTC114EE封装图
PDTC114EE封装焊盘图
在线购买PDTC114EE
型号: PDTC114EE
制造商: NXP 恩智浦
描述:PDTC114EE 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 10k SOT-523 marking/标记 9
替代型号PDTC114EE
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PDTC114EE

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PDTC114EE,115

恩智浦

功能相似

PDTC114EE和PDTC114EE,115的区别

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