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PDTC115EM中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 20mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DFN

外形尺寸

封装 DFN

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTC115EM

型号： PDTC115EM

制造商： NXP 恩智浦

描述：PNP电阻配备晶体管; R 1 = 100千瓦，R 2 = 100千瓦 PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW

替代型号PDTC115EM

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当前型号

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恩智浦

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