PBRN113ET参数规格_中文资料_数据手册PDF

PBRN113ET中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 700mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-236

外形尺寸

封装 TO-236

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBRN113ET

型号： PBRN113ET

制造商： NXP 恩智浦

描述：NPN 800毫安， 40 V BISS再生能源技术; R 1 = 1千欧，R2 = 1kΩ的 NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ

替代型号PBRN113ET