PDTA115TE参数规格_中文资料_数据手册PDF

PDTA115TE中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

封装参数

封装 SC-75

外形尺寸

封装 SC-75

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTA115TE

型号： PDTA115TE

制造商： NXP 恩智浦

描述：PNP电阻配备晶体管; R1 = 100千瓦， R2 =开放 PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = open

替代型号PDTA115TE