PBSS2540E参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

PBSS2540E中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.5A

封装参数

封装 SC-75

外形尺寸

封装 SC-75

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBSS2540E

型号： PBSS2540E

制造商： NXP 恩智浦

描述：40 V ， 500毫安NPN低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 40 V, 500 mA NPN low VCEsat BISS transistor

替代型号PBSS2540E

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PBSS2540E NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
PBSS2540M,315 恩智浦	类似代替	PBSS2540E和PBSS2540M,315的区别
PBSS2540E,115 恩智浦	类似代替	PBSS2540E和PBSS2540E,115的区别
PBSS2540F 恩智浦	类似代替	PBSS2540E和PBSS2540F的区别