PBSS303PD

PBSS303PD中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 1.10 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 3A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOP

外形尺寸

封装 TSOP

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: PBSS303PD
制造商: NXP 恩智浦
描述:低VCEsat晶体管( BISS )晶体管 Low VCEsat BISS transistors

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