PH7030L

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PH7030L概述

PH7030L N沟道MOSFET 30V 68A SOT-669 marking/标记 7030L 硅栅高速开关/低驱动

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 68A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 耗散功率Pd Power Dissipation| 62.5W Description & Applications| N-channel TrenchMOS™ logic level FET 描述与应用| N沟道的TrenchMOS™逻辑电平FET


PH7030L中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 62.5 W

连续漏极电流Ids 68.0 A

封装参数

封装 SOT-669

外形尺寸

封装 SOT-669

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买PH7030L
型号: PH7030L
制造商: NXP 恩智浦
描述:PH7030L N沟道MOSFET 30V 68A SOT-669 marking/标记 7030L 硅栅高速开关/低驱动
替代型号PH7030L
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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