PHT4NQ10LT参数规格_中文资料_数据手册PDF

PHT4NQ10LT概述

PHT4NQ10LT N沟道MOSFET 100V 3.5A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 4NQ10L 高密度/DMOS技术

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 100V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 16V 最大漏极电流Id Drain Current| 3.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 耗散功率Pd Power Dissipation| 6.9W Description & Applications| 描述与应用|

PHT4NQ10LT中文资料参数规格

封装参数

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

其他

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 100V

最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage 16V

最大漏极电流Id Drain Current 3.5A

耗散功率Pd Power Dissipation 6.9W

规格书PDF __

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

PHT4NQ10LT引脚图与封装图

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型号： PHT4NQ10LT

制造商： NXP 恩智浦

描述：PHT4NQ10LT N沟道MOSFET 100V 3.5A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 4NQ10L 高密度/DMOS技术

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