PMBTH10

PMBTH10图片1
PMBTH10概述

PMBTH10 NPN 30V 250MHZ HEF=60 SOT23 代码 V30

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | 25V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 650MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 60 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage | 耗散功率Pc Power dissipation | 0.4W 描述与应用 Description & Applications | NPN型1 GHz通用开关晶体管 低成本 高功率增益。


PMBTH10中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 0.04A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买PMBTH10
型号: PMBTH10
制造商: NXP 恩智浦
描述:PMBTH10 NPN 30V 250MHZ HEF=60 SOT23 代码 V30
替代型号PMBTH10
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PMBTH10

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

BFR181

英飞凌

功能相似

PMBTH10和BFR181的区别

2SC3585

日本电气

功能相似

PMBTH10和2SC3585的区别

2SC2351

日本电气

功能相似

PMBTH10和2SC2351的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台