PSMN3R5-30YL

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PSMN3R5-30YL中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 74.0 W

漏源极电压Vds 30.0 V

连续漏极电流Ids 55.0 A

封装参数

引脚数 4

封装 LFPAK

外形尺寸

封装 LFPAK

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PSMN3R5-30YL
型号: PSMN3R5-30YL
制造商: NXP 恩智浦
描述:N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET
替代型号PSMN3R5-30YL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PSMN3R5-30YL

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PSMN3R5-30YL,115

恩智浦

功能相似

PSMN3R5-30YL和PSMN3R5-30YL,115的区别

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