PHU101NQ03LT

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PHU101NQ03LT中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 75.0 A

极性 N-CH

耗散功率 166 W

输入电容 2.18 nF

栅电荷 23.0 nC

漏源极电压Vds 30.0 V

连续漏极电流Ids 75.0 A

上升时间 90 ns

下降时间 33 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 2.38 mm

高度 6.22 mm

封装 TO-251-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHU101NQ03LT
型号: PHU101NQ03LT
制造商: NXP 恩智浦
描述:的TrenchMOS逻辑电平FET TrenchMOS logic level FET

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