PD57060S

PD57060S概述

RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY

**HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF**

**VHF / UHF radio and digital cellular BTS applications**

**HF to 2000MHz class AB common source - PowerFLAT**

VHF / UHF radio applications

**HF to 2000MHz class AB common cource - ceramic packages**

**UHF TV and digital cellular BTS applications**

**2 to 400MHz class AB common source N channel MOSFETs**

HF / SSB, FM / VHF broadband applications

**2 to 30MHz class AB linear, common emitter, HF / SSB**

PD57060S中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 79 W

漏源击穿电压 65 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 7.00 A

输出功率 60 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerSO-10RF

外形尺寸

长度 7.5 mm

宽度 9.4 mm

高度 3.5 mm

封装 PowerSO-10RF

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买PD57060S
型号: PD57060S
制造商: ST Microelectronics 意法半导体
描述:RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
替代型号PD57060S
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PD57060S

ST Microelectronics 意法半导体

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PD57060

意法半导体

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PD57060S和PD57060的区别

PD57060-E

意法半导体

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PD57060S和PD57060-E的区别

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