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PTFA181001E中文资料参数规格

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产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： PTFA181001E

制造商： Infineon 英飞凌

描述：热增强型高功率射频LDMOS FET的100 W， 1805年至1880年兆赫 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 100 W, 1805 – 1880 MHz