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PHN210中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 3.4A

封装参数

封装 SO

外形尺寸

封装 SO

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号： PHN210

制造商： NXP 恩智浦

描述：双N沟道增强模式的TrenchMOS晶体管 Dual N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor