PDTD123TK参数规格_中文资料_数据手册PDF

PDTD123TK中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 100 @50mA, 5V

额定功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号： PDTD123TK

制造商： NXP 恩智浦

描述：NPN 500毫安， 50 V电阻配备晶体管; R1 = 2.2千欧姆， R2 =开放 NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = open

替代型号PDTD123TK