PSMN7R6-60PS

PSMN7R6-60PS图片1
PSMN7R6-60PS中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 92A

上升时间 21 ns

输入电容Ciss 2651pF @30VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 149000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准

数据手册

在线购买PSMN7R6-60PS
型号: PSMN7R6-60PS
制造商: NXP 恩智浦
描述:N沟道60 V 7.8 mΩ的标准电平MOSFET N-channel 60 V 7.8 mΩ standard level MOSFET
替代型号PSMN7R6-60PS
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PSMN7R6-60PS

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

SPP11N80C3

英飞凌

功能相似

PSMN7R6-60PS和SPP11N80C3的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司