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PHT11N06LT中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 10.7A

封装参数

封装 SC-73

外形尺寸

封装 SC-73

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买PHT11N06LT

型号： PHT11N06LT

制造商： NXP 恩智浦

描述：的TrenchMOS晶体管逻辑电平场效应管 TrenchMOS transistor Logic level FET