PMPB10XNEZ参数规格_中文资料_数据手册PDF

PMPB10XNEZ概述

N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=9A P=1.7W

N-Channel 20V 9A Ta 1.7W Ta, 12.5W Tc Surface Mount DFN2020MD-6

得捷:
MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6

立创商城:
N沟道 20V 9A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP

安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 12.9A 6-Pin DFN2020MD T/R

PMPB10XNEZ中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.7W Ta, 12.5W Tc

输入电容 2175 pF

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 2175pF @10VVds

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1.7W Ta, 12.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 uDFN-6

外形尺寸

封装 uDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

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型号： PMPB10XNEZ

描述：N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=9A P=1.7W