PHT2010Y1002BGT

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PHT2010Y1002BGT概述

薄膜电阻器 - SMD 100mWatt 10Kohms 0.01% 15ppm

10 kOhms ±0.1% 0.2W,1/5W 芯片 2010(5025 公制) 抗硫化 薄膜


得捷:
RES SMD 10K OHM 0.1% 1/5W 2010


贸泽:
薄膜电阻器 - SMD 100mWatt 10Kohms 0.01% 15ppm


PHT2010Y1002BGT中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 300 V

容差 0.1 %

额定功率 100 mW

电阻 10 kΩ

阻值偏差 ±0.1 %

工作温度Max 215 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装公制 5025

封装 2010

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 2.5 mm

高度 0.5 mm

封装公制 5025

封装 2010

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 215℃

温度系数 ±15 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHT2010Y1002BGT
型号: PHT2010Y1002BGT
制造商: Vishay Sfernice 思芬尼
描述:薄膜电阻器 - SMD 100mWatt 10Kohms 0.01% 15ppm

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