PMDXB600UNELZ

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PMDXB600UNELZ概述

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 600 mA, 20 V, 0.47 ohm, 4.5 V, 700 mV

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 20V 600mA 380mW Surface Mount DFN1010B-6


立创商城:
2个N沟道 20V 600mA


得捷:
20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF


贸泽:
MOSFET PMDXB600UNEL/DFN1010B-6/REEL 7


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 20 V, 600 mA, 0.47 ohm, DFN1010B, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin DFN-B EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin DFN1010B T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin DFN-B EP T/R


PMDXB600UNELZ中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

针脚数 6

漏源极电阻 0.47 Ω

耗散功率 380 mW

阈值电压 450 mV, 450 mV

输入电容 21.3 pF

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 ±20 V

上升时间 9.2 ns

输入电容Ciss 21.3pF @10VVds

额定功率Max 380 mW

下降时间 51 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 380 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 XFDFN-6

外形尺寸

封装 XFDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买PMDXB600UNELZ
型号: PMDXB600UNELZ
制造商: Nexperia 安世
描述:双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 600 mA, 20 V, 0.47 ohm, 4.5 V, 700 mV

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