PBLS2021D,115

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PBLS2021D,115概述

PNP - 预偏压 100mA 1.8A 50V 20V

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 20V 100mA, 1.8A 130MHz 760mW Surface Mount 6-TSOP


立创商城:
1个PNP-预偏置 100mA 1.8A 50V 20V


得捷:
NEXPERIA PBLS2021D - SMALL SIGNA


艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 20V 1.8mA 760mW Automotive 6-Pin TSOP T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN/PNP 20V 1.8mA 6-Pin TSOP T/R


PBLS2021D,115中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.6 W

耗散功率 760 mW

击穿电压集电极-发射极 50V, 20V

额定功率Max 760 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 130 MHz

耗散功率Max 760 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-457

外形尺寸

封装 SOT-457

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买PBLS2021D,115
型号: PBLS2021D,115
制造商: Nexperia 安世
描述:PNP - 预偏压 100mA 1.8A 50V 20V
替代型号PBLS2021D,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PBLS2021D,115

Nexperia 安世

当前型号

当前型号

PBLS2001S,115

恩智浦

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PBLS2021D,115和PBLS2001S,115的区别

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