PBSS4160PAN,115概述
2个NPN 60V 2W 100nA
- 双极 BJT - 阵列 2 NPN（双） 60V 1A 175MHz 510mW 表面贴装型 6-HUSON-EP（2x2）
立创商城:
2个NPN 60V 1A
得捷:
NEXPERIA PBSS4160PAN - SMALL SIG
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 60V 1A NPN/PNP lo VCEsat transistor
艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive 6-Pin HUSON EP T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 60V 1A 6-Pin DFN T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 1A Automotive 6-Pin HUSON EP T/R
PBSS4160PAN,115中文资料参数规格
技术参数
频率 175 MHz
额定功率 1.04 W
耗散功率 1450 mW
增益频宽积 175 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 150 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 430
额定功率Max 510 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 DFN2020-6
外形尺寸
封装 DFN2020-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买PBSS4160PAN,115