PMZ600UNELYL概述
N沟道 20V 600mA
20V, 0.6A, 620MOHM, SOT-883
得捷:
MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
立创商城:
N沟道 20V 600mA
贸泽:
MOSFET PMZ600UNEL/XQFN3/REEL 7" Q1/T1
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN1006 T/R
PMZ600UNELYL中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 715 mW
输入电容 21.3 pF
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 9.2 ns
输入电容Ciss 21.3pF @10VVds
额定功率Max 715 mW
下降时间 51 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 715 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-883
外形尺寸
封装 SOT-883
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买PMZ600UNELYL