PDTA115TMB,315参数规格_中文资料_数据手册PDF

PDTA115TMB,315概述

TRANS PREBIAS PNP 0.25W1/4W 3DFN

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 250mW Surface Mount DFN1006B-3

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3

立创商城:
PDTA115TMB,315

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Resistor Equipped Transistor

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R

PDTA115TMB,315中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 180 MHz

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 XFDFN-3

外形尺寸

封装 XFDFN-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

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型号： PDTA115TMB,315

描述：TRANS PREBIAS PNP 0.25W1/4W 3DFN