PDTB113EQAZ

PDTB113EQAZ图片1
PDTB113EQAZ图片2
PDTB113EQAZ概述

TRANS PREBIAS PNP 3DFN

- 双极 BJT - 单,预偏置 PNP - 预偏压 表面贴装型 DFN1010D-3


立创商城:
PDTB113EQAZ


得捷:
PDTB113/123/143/114EQA SERIES -


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased PDTB113EQA/DFN1010D-3/REEL 7


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R


PDTB113EQAZ中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 940 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 33 @50mA, 5V

额定功率Max 325 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 150 MHz

耗散功率Max 940 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 XDFN-3

外形尺寸

封装 XDFN-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买PDTB113EQAZ
型号: PDTB113EQAZ
制造商: Nexperia 安世
描述:TRANS PREBIAS PNP 3DFN

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台